La cámara de vacío de los equipos PECVD (deposición química en fase vapor mejorada por plasma) es un componente crítico diseñado para facilitar la deposición precisa de películas finas en condiciones controladas.Entre sus características clave se incluyen su construcción en acero inoxidable, su diseño de acoplamiento capacitivo y la integración de los sistemas de calentamiento, distribución de gas y generación de plasma.La cámara admite operaciones a alta temperatura (hasta 1.000 °C), rotación ajustable de la muestra y distribución uniforme del gas mediante un electrodo de ducha.Otras características, como ventanas de observación, canales de refrigeración y puertos de escape, mejoran la funcionalidad para aplicaciones que van desde la fabricación de semiconductores hasta los revestimientos protectores.
Explicación de los puntos clave:
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Material y construcción
- Fabricado en acero inoxidable (245 mm de diámetro × 300 mm de altura) para mayor durabilidad y resistencia a la corrosión.
- Incluye canales de refrigeración integrados para gestionar las cargas térmicas durante el funcionamiento.
- Diseño de puerta frontal para facilitar el acceso y el mantenimiento.
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Calefacción y control de temperatura
- Admite calentamiento de muestras desde temperatura ambiente hasta más de 1000°C con ±1°C de precisión .
- Equipado con una platina calefactada (soporte de muestras de 100 mm de diámetro) para una distribución térmica uniforme.
- El controlador de temperatura garantiza la estabilidad, crítica para procesos como el silicio amorfo o la deposición de nitruros.
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Distribución de gas y generación de plasma
- Utiliza una boquilla de ducha (rociador de 100 mm) como distribuidor de gas y como electrodo de RF para generar plasma.
- El espaciado gas-pulverización ajustable (40-100 mm) optimiza la uniformidad de la película.
- La energía de RF (13,56 MHz típica) ioniza los gases, lo que permite una deposición a baja temperatura en comparación con el CVD tradicional.
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Manipulación y rotación de muestras
- Mesa de muestras giratoria (1-20 rpm) mejora la uniformidad del recubrimiento minimizando los efectos de sombra.
- Los orificios de escape situados por debajo del nivel de la oblea eliminan eficazmente los gases subproductos.
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Características adicionales
- Ventana de observación de 100 mm con deflector para la supervisión del proceso sin riesgo de contaminación.
- Compatible con diversos revestimientos (por ejemplo, óxidos, nitruros, polímeros como fluorocarbonos) para aplicaciones flexibles.
- Diseño compacto con controles de pantalla táctil para un manejo sencillo.
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Aplicaciones
- Ideal para depositar hidrófobo , anticorrosivo o películas dieléctricas (por ejemplo, SiO₂, Si₃N₄).
- Se utiliza en dispositivos semiconductores, revestimientos ópticos y capas protectoras vía máquina mpcvd tecnología.
El diseño de la cámara equilibra la precisión (por ejemplo, el control de la temperatura), la flexibilidad (compatibilidad de materiales) y la escalabilidad (procesamiento de una sola oblea), lo que la hace indispensable para la síntesis avanzada de materiales.¿Cómo se ajustan estas características a sus necesidades específicas de deposición?
Cuadro sinóptico:
| Función | Descripción |
|---|---|
| Material | Acero inoxidable (245 mm de diámetro × 300 mm de altura) con canales de refrigeración. |
| Rango de temperatura | Hasta 1000°C con una precisión de ±1°C mediante platina calefactada. |
| Distribución de gas | Boquilla de ducha (100 mm) para un flujo de gas uniforme y la generación de plasma RF. |
| Manipulación de muestras | Mesa giratoria (1-20 rpm) para minimizar los efectos de sombra. |
| Características adicionales | Ventana de observación, puertos de escape y controles de pantalla táctil para facilitar su uso. |
| Aplicaciones | Fabricación de semiconductores, revestimientos ópticos y películas protectoras. |
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