Conocimiento ¿Cómo gestiona el sistema PECVD las capas de pasivación en células solares PERC?Aumente la eficiencia con el depósito de plasma de precisión
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Equipo técnico · Kintek Furnace

Actualizado hace 2 días

¿Cómo gestiona el sistema PECVD las capas de pasivación en células solares PERC?Aumente la eficiencia con el depósito de plasma de precisión

El sistema PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) desempeña un papel fundamental en el depósito de capas de pasivación para células solares PERC (Passivated Emitter and Rear Cell).Estas capas aumentan la eficiencia de la célula al reducir las pérdidas por recombinación y mejorar la absorción de la luz.El sistema deposita capas de óxido de aluminio (AlOx) y nitruro de silicio (SiNx:H) en las caras posterior y anterior, respectivamente, en una única configuración.La activación por plasma permite el procesamiento a baja temperatura, lo que garantiza propiedades uniformes de la película y una gran pureza.Esto hace que el PECVD sea indispensable para la fabricación moderna de células solares, ya que combina flexibilidad, precisión y escalabilidad.

Explicación de los puntos clave:

  1. Papel del PECVD en las células solares PERC

    • El PECVD se utiliza para depositar capas de pasivación dieléctrica en ambas caras de las células solares PERC.
    • La cara posterior presenta una fina capa de AlOx recubierta con SiNx:H, mientras que la cara frontal utiliza SiNx:H para la pasivación y el revestimiento antirreflectante (ARC).
    • Estas capas minimizan la recombinación electrón-hueco y mejoran la captura de la luz, aumentando la eficiencia.
  2. Materiales clave y sus funciones

    • Óxido de aluminio (AlOx):Proporciona una excelente pasivación superficial debido a su elevada carga fija negativa, reduciendo la recombinación en la cara posterior.
    • Nitruro de silicio (SiNx:H):Actúa como fuente de hidrógeno para la pasivación de defectos y sirve como ARC para reducir las pérdidas por reflexión.
    • El sistema de deposición química en fase vapor por plasma permite la deposición secuencial de ambos materiales en una sola cámara, lo que mejora el rendimiento.
  3. Ventajas del PECVD sobre el CVD convencional

    • Procesamiento a temperaturas más bajas:La activación por plasma permite la deposición a temperaturas reducidas (a menudo por debajo de 400°C), lo que resulta crítico para los sustratos sensibles al calor.
    • Mayor velocidad de deposición:Los electrones energéticos del plasma aceleran las reacciones químicas, permitiendo un crecimiento más rápido de la película.
    • Uniformidad y pureza:El diseño patentado de los reactores garantiza una distribución uniforme del gas y un mínimo de impurezas, lo que es fundamental para las células solares de alto rendimiento.
  4. Mecanismo de activación del plasma

    • El plasma se genera mediante descarga de RF, CA o CC, ionizando las moléculas de gas para crear especies reactivas.
    • Esta energía impulsa las reacciones de deposición sin depender únicamente del calentamiento del sustrato, preservando la integridad del material.
  5. Flexibilidad y escalabilidad del sistema

    • El PECVD puede procesar diversos materiales (óxidos, nitruros, polímeros), lo que lo hace adaptable a varias arquitecturas de células solares.
    • Su diseño modular permite la producción a gran escala, en línea con las demandas industriales de fabricación solar de alto rendimiento.
  6. Comparación con otras técnicas

    • A diferencia del CVD térmico, el PECVD evita la degradación a alta temperatura, de forma similar a como la destilación al vacío protege los compuestos sensibles al calor.
    • La precisión del proceso supera a la de la pulverización catódica o la evaporación, garantizando una densidad y adherencia óptimas de la película.

Al integrar estas características, los sistemas PECVD abordan los principales retos de la fabricación de células solares PERC: eficiencia, coste y escalabilidad.¿Ha pensado en cómo los avances en la tecnología del plasma podrían perfeccionar aún más estas capas de pasivación?Este tipo de innovaciones siguen configurando el futuro de las energías renovables.

Cuadro sinóptico:

Aspecto Detalles
Materiales clave AlOx (pasivación trasera), SiNx:H (pasivación delantera y ARC)
Ventajas del plasma Procesamiento a baja temperatura (<400°C), películas uniformes, alta pureza
Flexibilidad del sistema Deposición secuencial en una sola cámara, escalable para producción industrial
Impacto en el rendimiento Reduce las pérdidas por recombinación, mejora el atrapamiento de la luz, aumenta la eficiencia de la célula

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