El sistema PECVD (deposición química en fase vapor mejorada por plasma) está diseñado para la deposición eficaz de películas finas con funciones de control avanzadas.Las especificaciones clave incluyen calentamiento de la cámara a 80°C, generadores duales de RF (30/300W) y LF (600W, 50-460kHz), y un sistema de vacío con altas velocidades de escape.El sistema admite sustratos de hasta 460 mm, ofrece control de temperatura de 20 °C a 400 °C (ampliable a 1.200 °C) e incluye funciones como conmutación de RF para control de tensión y limpieza de plasma in situ.Su diseño compacto, su interfaz de pantalla táctil y su funcionamiento energéticamente eficiente lo hacen adecuado para diversas aplicaciones industriales.
Explicación de los puntos clave:
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Generación de energía y control del plasma
- Generadores de RF:Opciones de 30 W y 300 W para un control preciso del plasma.
- Generador LF Unidad de estado sólido de 600 W que funciona a 50-460 kHz para una mayor flexibilidad de deposición.
- Creación de plasma:Utiliza descargas de RF, CA o CC para ionizar el gas, lo que permite reacciones a baja temperatura.Más información sobre sistema de deposición química en fase vapor por plasma .
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Diseño de la cámara y los electrodos
- Paredes de la cámara calentada:Se mantiene a 80°C para unas condiciones de deposición estables.
- Tamaños de electrodo Opciones de 240 mm y 460 mm, compatibles con obleas de hasta 460 mm de diámetro.
- Rangos de temperatura:El electrodo inferior calienta los sustratos de 20°C a 400°C (1200°C opcional para procesos de alta temperatura).
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Sistema de vacío
- Configuración de la bomba:Bomba rotativa de paletas de dos etapas (160L/min) emparejada con una bomba molecular controlada por TC75.
- Velocidades de escape: 60L/s para nitrógeno, 55L/s con red de protección.
- Ratios de compresión 2×10⁷ para N₂, 3×10³ para H₂, con una contrapresión máxima de 800Pa.
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Control de gas y procesos
- Gas Pod:Sistema de 12 líneas con líneas de flujo másico controlado (MFC) para un suministro de gas preciso.
- Dopantes y precursores:Admite varios dopantes y precursores líquidos para obtener propiedades de película a medida.
- Software:Rampa de parámetros para ajustes automatizados del proceso.
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Características operativas
- Conmutación RF:Ajusta los niveles de tensión en las películas depositadas.
- Limpieza in situ:La limpieza por plasma con detección de extremos reduce el tiempo de inactividad.
- Interfaz de pantalla táctil:Control integrado para facilitar su uso.
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Eficiencia energética y rendimiento
- Las bajas temperaturas de funcionamiento reducen el consumo de energía.
- Las tasas de deposición más rápidas y el diseño compacto mejoran el rendimiento.
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Mantenimiento y durabilidad
- Rodamientos Cerámicos:Lubricado con grasa con una vida útil de 20.000 horas.
- Refrigeración por aire forzado:Garantiza un rendimiento estable durante un funcionamiento prolongado.
Estas especificaciones ponen de relieve la versatilidad del sistema para la investigación y la producción, equilibrando precisión, eficacia y facilidad de uso.
Tabla resumen:
| Característica | Especificación |
|---|---|
| Generación de potencia | Generadores duales RF (30W/300W) + LF (600W, 50-460kHz) |
| Calentamiento de la cámara | Paredes a 80°C, calentamiento del sustrato (20°C-400°C, ampliable a 1200°C) |
| Sistema de vacío | Bomba rotativa de 160L/min + bomba molecular TC75, velocidad de escape de 60L/s (N₂) |
| Control de gas | Módulo de gas MFC de 12 líneas para dopantes/precursores |
| Características operativas | Conmutación por tensión de RF, limpieza por plasma in situ, interfaz de pantalla táctil |
| Eficiencia energética | Funcionamiento a baja temperatura, diseño compacto, tasas de deposición más rápidas |
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